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Morphologie et Propriétés Physiques des Couches Minces (300 Å) Coévaporées de CuInSe2

L. Béchiri 1 ; M. Benabdeslem 1, N. Benslim 1, L. Mahdjoubi 1 et G. Nouet 2

1 LCCM, Institut de Physique, Université Badji Mokhtar, B.P. 12, Annaba 2 LERMAT, ISMRa, Université, 6. Boulevard du Maréchal Juin, 14032, France)

Résumé

Le semi-conducteur ternaire CuInSe2 appartenant au groupe (I – III – VI2) est le matériau le plus avantageux pour la fabrication des cellules solaires élaborées en couches minces en remplacement du sulfure de cuivre. L’étude que nous présentons, va porter sur l’élaboration et la caractérisation de CuInSe2 en films minces. Pour cela, nous avons déposé simultanément les constituants à partir de trois creusets par la technique de la coévaporation sur des substrats en verre portés à une température Ts = 380 °C, en fixant la densité théorique du matériau à 5.77 g cm-1. Par la suite, les films ont été caractérisés par les différentes techniques suivantes : le microscope électronique à balayage (MEB), EDS et la microscopie électronique en transmission (MET). Les échantillons non – stoechiométriques obtenus présentent une conductivité de type n avec une concentration en électrons à 300 K égale à 1019 cm-3 mesurée par la technique de Van der Pauw. La résistivité est thermiquement activée avec des énergies d’activation dépendant de la température.

Abstract

The ternary semiconductor CuInSe2 pertaining to the group (I -III - VI2) is the most advantageous material for the manufacture of the elaborate solar cells in thin layers to replace copper sulphide. The study that we present, will relate to the development and the characterisation of thin film CuInSe2. For that, we simultaneously deposited the components starting from three crucibles by the technique of the coevaporation on substrates out of glass brought up to a Ts temperature = 380 °C, by fixing the theoretical density of material at 5.77 G cm-1 Thereafter, the films were characterised by the various following techniques : The electron microscope with sweeping (MEB), EDS and electronic microscopy in transmission (MET). Samples not - stoechiometric obtained have a conductivity of the type N with a concentration in electrons to 300 K equal to 1019 cm-3 measured by the technique of Van der Pauw. The resistivity is thermally activated with energies of activation depending on the temperature.

Mots clés

Semi-conducteur ternaire - CuInSe2,- Couches minces – Propriétés électriques.

700. Morphologie et Propriétés Physiques des Couches Minces (300 Å) Coévaporées de CuInSe2
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